繰り返し精度10μmで安定検知するCMOSレーザセンサ、誕生
【圧倒的な安定検出】
・1/100mmオーダーの高精度検出を実現。
・優れた段差検出性能。
・高精度CMOSイメージセンサ&独自アルゴリズムを搭載。
【コンパクト】
・測定値をリアルに伝える。
・小型・軽量。
・長距離測定。
・0～5Vのアナログ電圧出力を搭載。
・内部にミラーを設置した新しい光学系を設計。
・ボディを歪みや温度から守るアルミダイカストケースを採用。
【便利な機能を装備】
・ティーチング&ウィンドウコンパレータモード。
・タイマ設定機能。
・ゼロセット機能。
・外部入力設定機能。
・表示設定機能。
・ピークホールド機能・ボトムホールド機能。
・しきい値微調整機能。
・キーロック機能。
共通仕様
| 温度特性 | 0.03%F.S./℃ |
|---|---|
| 光源 | 赤色半導体レーザ クラス2[JIS/IEC/GB/FDA] 最大出力：1mW 発光ピーク波長：655nm |
| 電源電圧 | 12～24V DC±10% リップルP-P10% |
| 消費電流 | 40mA以下(電源電圧24V DC時)、65mA以下(電源電圧12V DC時) |
| アナログ出力(電圧) | 出力範囲：0～5V(アラーム時：+5.2V) 出力インピーダンス：100Ω |
| アナログ出力(電流) | 出力範囲：0～20mA 許容負荷抵抗：300Ω以下 |
| 制御出力 | NPNトランジスタ・オープンコレクタ ・最大流入電流：50mA ・印加電圧：30V DC以下(制御出力-0V間) ・残留電圧：1.5V以下(流入電流50mAにて) ・漏れ電流：0.1mA以下 PNPトランジスタ・オープンコレクタ ・最大流出電流：50mA ・印加電圧：30V DC以下(制御出力-+V間) ・残留電圧：1.5V以下(流出電流50mAにて) ・漏れ電流：0.1mA以下 出力動作：入光時ON/非入光時ON 切り換え可能 短絡保護：装備(自動復帰型) |
| 応答時間 | 1.5ms/5ms/10ms 切り換え可能 |
